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A |     8月24日消息，据Wccftech报道，SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。     当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。    

    每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位，这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。     在封装工艺上，目前主要存在两大技术路径：热压键合配合非导电膜（TC+NCF）和整体回流焊配合模塑底部填充（MR+MUF）。前者在应对芯片翘曲方面更具优势，但热阻较高且生产效率偏低；后者生产效率更高、热阻更低，却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。    

    面向未来，SK海力士计划引入混合键合技术，以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。同时，公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术（类似三星的HPB方案），旨在优化传热路径，更高效地分散热量，为更高层数的堆叠铺路。    在2.5D封装解决方案方面，SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外，新增了英特尔的EMIB技术，形成更丰富的异构集成选项。     此外，市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司，进一步深化合作。同时，与三星类似，SK海力士也在积极推进3D垂直堆叠方案，将HBM直接置于计算模块之上，以突破现有封装架构的带宽和能效瓶颈。    

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Published on:22:48:32